海内第三代半导体迎窗口期本年氮化镓碳化硅产值或达70亿元

海内第三代半导体迎窗口期 本年氮化镓、碳化硅产值或达70亿元

氮化镓因本年小米推出应用了相关质料的快充产品而备受瞩目。作为海内已量产硅基氮化镓的企业，英诺赛科科技有限公司的董事长骆薇薇在上述论坛上暗示，第三代半导体氮化镓有小体积、低能耗、高频工作等上风，适应带宽更大年夜、工作频率更高、大年夜电流、低损耗的市场需求。

第三代半导体另一个重要产品碳化硅，则将受益于电动的快速发展而迎来爆发机遇。

电动汽车推动碳化硅市场爆发

随着AI、数据中心、5G、新能源汽车、直流供电等的快速成长，功率半导体将迎来快速增长，预计2020~2025年复合增长率会超过10%。骆薇薇说，功率半导体未来主要增长将集中在第三代半导体，电压品级主要会集中在30伏、150伏、650伏、900伏以上。

而氮化镓的应用范围不只在快充、智妙手机等消费类电子范畴，尚有数据中心、柔性供电等工业范畴，以及自动驾驶、车载充电机等汽车范畴。如，低压氮化镓可应用于新一代大年夜数据中心，以减少占地、提高功率、降低能耗。

英诺赛科于2015年创立，2020年9月苏州工场扶植完成，其高、低压芯片出货量均达数百万颗。骆薇薇以为，氮化镓功率半导体的财产化手艺已经成熟，市场起头爆发。目前英诺赛科量产的产品是8英寸硅基氮化镓，笼盖从30伏到650伏。

展望中国第三代半导体财产的未来，吴玲预计，到2025年，5G通信基站所需GaN射频器件的国产化率将到达80%；第三代半导体功率器件将在高速列车、新能源汽车、工业电机、智能电网等范畴规模应用；Mini/Micro LED、深紫外等质料及芯片财产化可实现在健康医疗、公共宁静、信息交互等范畴的立异应用。到2030年，海内将形成1~3家世界级龙头企业，带动产值超过3万亿元，年节电万亿度。

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